公司创始人：  

   黄风义博士简介: 黄风义博士简历

黄风义博士毕业于北京大学物理系，获 美国依利诺斯大学香槟分校（UIUC）工程博士学位。曾任美国加利福尼亚大学落杉矶分校（UCLA）电子工程系博士后研究员。后任IBM 高级工程师，从事应用于高频通讯大规模集成电路的锗硅技术和产品开发, 曾作为核心人员参与了代表当时国际最先进水平的210GHz（SiGe 7HP)锗硅技术的开发，并获IBM微电子部总经理的杰出贡献奖。在相关领域发表了50多篇技术论文,十多项美国专利,多次在国际会议做邀请报告。著有两章专著。在高频通讯的电子及光电子领域有十多年亲自的经验.

公司拥有多位国际一流的资深工程师和专家做技术顾问和兼职咨询，包括前IBM高级设计师，及其他大公司的高级设计师。公司同美国多个创业公司及生产线的合作，为公司提供了丰富的设计技术资源和芯片加工渠道。公司并同国内最有实力的高频通讯研究所和大学建立了密切的合作关系。